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炉管式CVD广泛用于小面积高质量试验级石墨烯材料制备和其他各类二维材料CVD生长。
设备采用独立加热控制系统，多路独立进气，使用真空计，蝶阀实现精准控压。可配置HMI人接交换系统，实现复杂仪表参数画面设置。且可根据需求温度段变化一键启动自动执行流量，达到工艺控制安全可靠，极大节省人工提升实验效率。
使用温度：RT-1150℃
压强：10-2Pa-常压
适配碳源种类：各类干湿碳源
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金属类箔材衬底CVD石墨烯生长装备
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