通知公告
四英寸/六英寸单晶石墨烯晶圆
通过在铜单晶衬底上外延生长得到单晶石墨烯晶圆，利用界面结合力与热应力工程消除了石墨烯的褶皱与台阶束,使其粗糙度降低至1 nm以下。
关键词：
所属分类：
薄膜/晶圆
通过在铜单晶衬底上外延生长得到单晶石墨烯晶圆，利用界面结合力与热应力工程消除了石墨烯的褶皱与台阶束,使其粗糙度降低至1 nm以下。相较于普通CVD石墨烯薄膜，单晶石墨烯晶圆具有更高的平整度,媲美机械剥离石墨烯的超强机械性能以及超高的均一性,是石墨烯应用于高性能电子及光电子器件集成的理想材料。
单晶石墨烯晶圆 |
GG-WSSC |
Ф4 inch | 1、衬底:蓝宝石/铜 2、石墨烯覆盖率:>99% 3、粗糙度:<1nm 4、载流子迁移率:>8000 cm2/(Vs) (室温) 5、面电阻:550~600 Ω/sq (SiO2/Si衬底) |
上一页
四英寸蓝宝石晶圆
下一页
地址：北京市海淀区苏家坨镇翠湖南环路13号院中关村翠湖科技园2号楼
邮编：100095 电话：010-83432600
