研究进展

Adv. Mater. : 石墨烯助力氮化铝薄膜准范德华外延生长与深紫外LED

作者:院宣传部

日期:2019-04-29

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III族氮化物由于其宽的直接带隙与优异的稳定性,被广泛用于发光二极管(LED)、激光器和大功率/高频电子器件。其中,高品质氮化铝(AlN)薄膜的生长与深紫外LED的构筑是目前氮化物领域研究的重点与热点。目前,AlN薄膜主要是通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法异质外延生长在c-蓝宝石、6H-SiC和Si(111)衬底上。

刘忠范、彭海琳课题组在Chem. Rev.和Adv. Mater.上综述石墨烯化学气相沉积制备方法

作者:院办公室

日期:2018-10-13

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石墨烯是具有独特的二维蜂窝状晶体结构的新型纳米碳材料,其电学、热学、光学和力学等性能非常优异,在高端电子和光电子器件、能源转化与存储、复合材料等领域有着广阔的应用前景。“制备决定未来”,石墨烯的化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)制备方法自2009年被发明以来,已经取得了长足的进展,是目前低成本制备大面积高品质石墨烯薄膜的最有效方法,具有良好的可控性和可放大性。

张锦团队开发出“下雪式”石墨烯高品质粉体生长方法

作者:院办公室

日期:2018-09-17

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如何实现高品质粉体石墨烯的低成本与规模化制备是石墨烯实现应用的关键。目前,石墨烯的制备主要有液相剥离(LPE)和化学气相沉积(CVD)两种方法,LPE法可以实现石墨烯的低成本与规模化制备,但制备过程繁琐且某些情况下需要合适的氧化剂,不可避免地造成环境污染,同时也降低了石墨烯的品质。

光热效应增强超级电容器电容取得重要进展

作者:院办公室

日期:2018-09-17

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近日,刘忠范院士和魏迪研究员等人发现,使用多级结构三维石墨烯泡沫作为电极制备的超级电容器(Supercapacitor, SC)在光照下,由于光热效应,器件的电容、能量密度和功率密度都得到大幅提高。这项工作为太阳能应用提供了新的途径,为能源存储设备的开发提供了新的设计思路。相关成果以“Solar thermal-driven capacitance enhancement of supercapacitors”为题发表在能源领域著名期刊Energy & Environmental Science(IF=30.067)上。

彭海琳教授等Science子刊:新型层状Bi₂O₂Se半导体的电子结构的透彻解析

作者:院办公室

日期:2018-09-17

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近日,彭海琳教授课题组与牛津大学的陈宇林教授团队合作,揭示了超高迁移率层状Bi2O2Se半导体的电子结构及表面特性。这项工作透彻解析了此种新型超高迁移率层状Bi2O2Se半导体材料电子结构,并为其进一步的开发应用打下了坚实的基础。

制备少层石墨双炔薄膜取得突破性进展

作者:院办公室

日期:2018-07-18

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北京时间2018年7月6日,Science 子刊发表了北京大学张锦教授团队、刘忠范院士团队在石墨烯双炔薄膜方面的突破性进展,该研究内容主要是发展了石墨双炔薄膜的溶液相范德华外延生长法,分析并验证了其生长机理。同时,实现了石墨烯上单/少层石墨双炔单晶薄膜的控制合成,并且系统地研究了其堆垛结构和基本物性。

大尺寸石墨烯单晶制备取得重要进展

作者:院办公室

日期:2018-01-09

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自石墨烯被发现以来,高品质石墨烯制备技术一直是石墨烯研究和应用的核心制约因素,尤其是大面积的石墨烯单晶薄膜制备被认为是实现石墨烯高端应用的关键问题之一。最近,北京大学纳米化学研究中心刘开辉研究员及其合作者,发展了一种新的制备技术,成功实现了大尺寸石墨烯单晶的制备。

刘忠范院士团队研制出光热转换、海水淡化用复合多级石墨烯泡沫

作者:院办公室

日期:2018-01-09

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石墨烯具有宽带吸收和优异的光热特性的优点,并且具有有望作为重要的太阳能-热能转换材料。然而,迄今为止,具有卓越的全向光收获性能的石墨烯太阳能热材料仍然难以制备。

彭海琳教授团队发现超高迁移率二维半导体BOX

作者:院办公室

日期:2018-01-09

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近日,彭海琳教授团队及其合作者首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se),在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。系统的输运测量表明

标号石墨烯研究取得重要进展

作者:院办公室

日期:2018-01-09

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近日,彭海琳教授团队负责的“石墨烯电子材料和透明导电薄膜的标号规则及稳定生产工艺研究”项目取得重要进展,通过设计的第二代卷对卷CVD设备制备得到了米量级的高品质石墨烯薄膜。该方法将工业铜箔以100 毫米/分钟的线速度通过CVD炉,在1小时内可以获得0.2米×6米的石墨烯薄膜。

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